专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路布局-CN202111239156.1在审
  • 陈瑞瑶;王伟任;吴昆源;陈建孚;许振贤 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-10-25 - 2023-03-31 - H01L27/02
  • 本发明公开一种集成电路布局,包括沿着拼接线邻接的第一标准单元和第二标准单元。第一标准单元包括第一主动区,其邻近该拼接线的边缘与该拼接线间隔距离D1。第一栅极线跨过第一主动区并超过边缘一长度L1。第一虚设栅极线位于该第一主动区两侧,且端部与该拼接线间隔距离S。第二标准单元包括第二主动区,其邻近该拼接线的边缘与该拼接线间隔距离D2。第二栅极线跨过第二主动区并超过该边缘一长度L2。第二虚设栅极线位于该第二主动区两侧,且端部与该拼接线间隔距离S。长度L1、长度L2、距离S、距离D1和距离D2具有关系式L1≤D1‑S、L2≤D2‑S,以及D1≠D2。
  • 集成电路布局
  • [发明专利]集成电路布局-CN202110453740.0在审
  • 吴昆源;王伟任;陈建孚;许振贤;陈建宏;林俊贤 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-04-26 - 2022-10-28 - G06F30/392
  • 本发明公开了一种集成电路布局,包括第一标准单元和第二标准单元。第一标准单元包括多个第一栅极线沿着第一方向排列在两第一单元边界之间,并且包括一第一栅极线宽度以及相距一预设栅极线间距(default gate line pitch)。第二标准单元沿着第二方向邻接在第一标准单元的一侧并且包括多个第二栅极线沿着第一方向排列在两第二单元边界之间,并且包括一第二栅极线宽度以及相距该预设栅极线间距。第一栅极线宽度不同于第二栅极线宽度。第一单元边界之间的第一单元宽度以及第二单元边界之间的第二单元宽度分别为该预设栅极线间距的整数倍。至少部分第二栅极线与至少部分第一栅极线沿着第二方向对齐。第一方向与第二方向互相垂直。
  • 集成电路布局
  • [发明专利]加速充电帮浦及锁相回路以及其操作方法-CN202010940159.7在审
  • 吴昆源;王伟任;陈建孚;蔡承洋;陈瑞瑶;陈毓霖 - 联华电子股份有限公司
  • 2020-09-09 - 2022-03-25 - H03L7/08
  • 本发明公开一种加速充电帮浦,包括第一充电帮浦,接收数据形式的上信号与下信号,以在输出节点产生第一电压控制信号。进一步,至少一加速相位侦测器包括第一电路路径,以接收所述上信号,对所述上信号延迟一预定延迟量成为延迟上信号,且对所述上信号及所述延迟上信号做与逻辑运算得到辅助上信号。第二电路路径用以接收所述下信号,对所述下信号延迟所述预定延迟量成为延迟下信号,且对所述下信号及所述延迟下信号做与逻辑运算得到辅助下信号。至少一第二充电帮浦,分别接收所述辅助上信号与所述辅助下信号,以在所述输出节点也产生第二电压控制信号。
  • 加速充电回路及其操作方法
  • [发明专利]半导体布局结构及其设计方法-CN201510545866.5有效
  • 吴俊贤;许振贤;王伟任;陈建孚;陈建宏 - 联华电子股份有限公司
  • 2015-08-31 - 2021-02-05 - G06F30/00
  • 本发明公开一种半导体布局结构及其设计方法,该设计方法包括,首先接收一第一主动特征组,其包含有至少一第一主动特征,且该第一主动特征包含有一第一通道长度。随后于该第一主动特征组的两侧设置一对第一虚置特征,以形成一第一元件图案。该对第一虚置特征包含有一第一虚置特征宽度,且该第一主动特征组与该对第一虚置特征之间分别定义有一第一间距与一第三间距。该第一元件图案包含有一第一元件宽度与一第一多晶硅间隔,且该第一元件宽度为该第一多晶硅间隔的整数倍。上述接收该第一主动特征组以及设置该对第一虚置特征等步骤进行于至少一电脑辅助设计工具中。
  • 半导体布局结构及其设计方法

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