[发明专利]单晶硅籽晶拼接方法在审
| 申请号： | 201710824128.3 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107740192A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 肖贵云;陈伟;陈志军;金浩;林瑶 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅籽晶的拼接方法，包括依次在每一单晶硅籽晶的拼接面涂覆粘结剂，然后将涂覆有所述粘结剂的单晶硅籽晶按预设位置依次在一水平工作台上拼接，以形成一籽晶层；静置预设时间后，通过机器手将所述籽晶层放入一坩埚的底端。上述单晶硅籽晶的拼接方法，通过粘结剂将相邻两单晶硅籽晶的拼接面粘结在一起，并静置预设时间，以使粘结剂干固，进而使多个单晶硅籽晶形成以籽晶层，再将籽晶层放入坩埚底端，单晶硅籽晶拼接面之间的粘结剂，既起到粘结相邻两单晶硅籽晶的作用，又可消除相邻两单晶硅籽晶之间的拼接缝隙，避免了因拼接缝隙而导致的缺陷，提高了单晶硅成品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 籽晶 拼接 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，包括：依次在每一单晶硅籽晶的拼接面涂覆粘结剂，然后将涂覆有所述粘结剂的单晶硅籽晶按预设位置依次在一水平工作台上拼接，以形成一籽晶层；静置预设时间后，通过机器手将所述籽晶层放入一坩埚的底端。
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