[发明专利]像素结构垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710779318.8 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107591480A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李子然 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种像素结构垂直沟道有机薄膜晶体管，包括分布于基板的上表面的第一电极层，该第一电极层包括公共电极层和源极层以及设于所述基板的上表面上方第二电极层，该第二电极层包括的像素电极层和漏极层；所述第一电极层和所述基板之间设有绝缘层；所述像素电极层和所述绝缘层的上部分布有垂直于所述绝缘层的沟道，所述沟道将所述像素电极层分成多个相互隔离的立体像素电极；所述像素电极层连接于有机薄膜晶体管的漏极层，所述漏极层、源极层上沉积有有源层，所述有源层上分别沉积有栅极层以及位于有源层和栅极层之间的栅绝缘层。本发明还公开了一种像素结构垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 垂直 沟道 有机 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种像素结构垂直沟道有机薄膜晶体管，其特征在于，包括分布于基板的上表面的第一电极层，该第一电极层包括公共电极层和源极层以及设于所述基板的上表面上方第二电极层，该第二电极层包括的像素电极层和漏极层；所述第一电极层和所述基板之间设有绝缘层；所述像素电极层和所述绝缘层的上部分布有垂直于所述绝缘层的沟道，所述沟道将所述像素电极层分成多个相互隔离的立体像素电极；所述像素电极层连接于有机薄膜晶体管的漏极层，所述漏极层、源极层上沉积有有源层，所述有源层上分别沉积有栅极层以及位于有源层和栅极层之间的栅绝缘层。
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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