[发明专利]烧结磁体的处理方法有效
| 申请号： | 201710764094.3 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107464684B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 吴树杰;董义;袁易;张帅;林晓勤;刁树林;伊海波;陈雅;袁文杰 | 申请（专利权）人： | 包头天和磁材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;C22C38/06;C22C38/10;C22C38/16;C22C38/12;C22C33/02;C21D1/74;C21D6/00 |
| 代理公司： | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人： | 樊耀峰;安平 |
| 地址： | 014030 内蒙古自治区包头*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种烧结磁体的处理方法。该方法包括镀膜工序、气氛控制扩散工序和气氛控制时效处理工序。本发明的方法提高了磁体的矫顽力和耐腐蚀性，并且生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结磁体的处理方法，其特征在于，包括如下工序：镀膜工序：采用溅射方法在烧结磁体的表面形成含重稀土元素的薄膜，从而获得第一磁体；气氛控制扩散工序：将所述第一磁体置于真空烧结炉中，将所述真空烧结炉抽真空至第一真空度为0.01Pa以下，以3～10℃/min的第一速率升温至800～850℃，然后通入惰性气体至第二真空度为1～100Pa，再以1～3℃/min的第二速率升温至860～1000℃，保温5～10h，然后充入所述惰性气体，冷却至100℃以下，从而获得第二磁体；气氛控制时效处理工序：将所述第二磁体在含有氧气和水蒸气的控制气体中、在400～570℃下进行时效处理；其中，所述控制气体的氧分压为0.01Pa～20kPa、且水蒸气分压为0.001Pa～1000Pa。
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