[发明专利]三维存储器的台阶结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710737176.9 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658224B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘丹;吕震宇;李勇娜;宋立东;何洪楷;冯乃柏;谭经纶;杨伟毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器中的台阶结构及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底；在衬底上形成阵列堆叠结构，阵列堆叠结构包括多层预设厚度且交错沉积的氮化物层和氧化物层，氮化物层形成于相邻的氧化物层之间；采用一张掩膜板对阵列堆叠结构进行三次Y方向上的刻蚀工艺得到对应的三个区域，并通过同一张掩膜板对含有三个区域的阵列堆叠结构进行多次X方向上的刻蚀工艺得到含有多层台阶的台阶结构。本发明中，在保障了三维存储器的容量及制程可靠性的基础上，不仅减小了三维存储器的体积，而且大大降低了三维存储器的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 台阶 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的台阶结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成阵列堆叠结构，所述阵列堆叠结构包括多层预设厚度且交错沉积的氮化物层和氧化物层，所述氮化物层形成于相邻的氧化物层之间；采用一张掩膜板对所述阵列堆叠结构进行三次Y方向上的刻蚀工艺得到对应的三个区域，并通过同一张掩膜板对含有所述三个区域的阵列堆叠结构进行多次X方向上的刻蚀工艺得到含有多层台阶的台阶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
