[发明专利]消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法，在深硅刻蚀完成后，以SF6或其他氟基气体进行硅干法刻蚀，刻蚀量为硅柱缺陷的侧向厚度，以完全消除硅柱缺陷。所述刻蚀是直接在深硅刻蚀后进行，或者是在后续的介质层刻蚀或灰化去胶过程中通过SF6一类的氟基气体刻蚀来实现。本方法在深硅刻蚀完成后，再以SF6等氟基气体的硅干法刻蚀，来完全消除硅柱缺陷。为了减少该刻蚀对晶圆内正常图形的影响，该刻蚀可以偏向各向同性刻蚀，以减少刻蚀量。本方法可以在没有配置晶圆边缘保护环的深硅刻蚀机台上实现，同时也无需通过额外生长介质层或涂布光刻胶来保护晶圆边缘区域，节省了相关工艺成本。

主权项

一种消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法，其特征在于：在深硅刻蚀完成后，以氟基气体进行硅干法刻蚀，刻蚀量为硅柱缺陷的侧向厚度，以完全消除硅柱缺陷；所述硅柱缺陷是深硅刻蚀之后晶圆表面产生的柱状硅残留缺陷。