[发明专利]一种基准电压源

摘要

本发明公开了一种基准电压源，包括启动电路和电压源电路，电压源电路包括第一至第二P沟道MOS管、第一至第六N沟道MOS管、电容、第一至第四电阻和第一至第五PNP三极管；所述启动电路包括第五电阻和第三至第四P沟道MOS管，其中，第五电阻的一端与电源连接，第五电阻的另一端与第三P沟道MOS管的漏极、第四P沟道MOS管的栅极分别连接，第四P沟道MOS管的漏极与第一N沟道MOS管的栅极连接，第四P沟道MOS管的源极与第三P沟道MOS管的源极、地分别连接。本发明提供了精度更高、更低温度系数的基准电压源；本发明电路具有功耗低、面积小和温度范围宽的特性；本发明降低了电路的复杂度且提高了电路的稳定性。

主权项

一种基准电压源，其特征在于，包括启动电路和电压源电路，电压源电路包括第一至第二P沟道MOS管、第一至第六N沟道MOS管、电容、第一至第四电阻和第一至第五PNP三极管；其中，第一P沟道MOS管的栅极与第一P沟道MOS管的漏极、第一N沟道MOS管的漏极、第二P沟道MOS管的漏极分别连接，第一P沟道MOS管的源极与电容的一端连接，电容的另一端与第一电阻的一端、第一PNP三极管的基极、第一PNP三极管的集电极、第二PNP三极管的集电极、第三PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的基极、第五PNP三极管的基极、第五PNP三极管的集电极、地分别连接，第一电阻的另一端与第二P沟道MOS管的源极连接，第一PNP三极管的发射极与第二电阻的一端、第二PNP三极管的基极分别连接，第二PNP三极管的发射极与第三N沟道MOS管的漏极连接，第三PNP三极管的发射极与第四N沟道MOS管的漏极连接，第四PNP三极管的发射极与第三PNP三极管的基极、第三电阻的一端分别连接，第五PNP三极管的发射极与第四电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第二N沟道MOS管的漏极连接，第三电阻的另一端与第五N沟道MOS管的漏极连接，第四电阻的另一端与第六N沟道MOS管的漏极连接，第一至第六N沟道MOS管的源极分别与电源连接，第一N沟道MOS管的栅极与第二N沟道MOS管的栅极、第三N沟道MOS管的栅极、第四N沟道MOS管的栅极、第五N沟道MOS管的栅极、第六N沟道MOS管的栅极分别连接。