[发明专利]一种3D NAND闪存结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND闪存结构及其制作方法，所述方法包括以下步骤，提供具有接触孔的衬底；采用原子层沉积的方法于接触孔中非均匀的进行氧化物充填，以形成充填氧化物层；回刻所述充填氧化物层；采用原子层沉积的方法于接触孔中非均匀的进行插塞氧化物充填，以在所述接触孔内形成中间空隙；对所述插塞氧化物进行平坦化处理，以露出所述衬底堆叠结构最上层的氮化硅层；回刻所述插塞氧化物，以形成沟槽底部平整的多晶硅的沉积沟槽；沉积多晶硅以形成插塞多晶硅。本发明的3D NAND闪存产品具有较大中间空隙和均匀的插塞多晶硅形貌，从而提高3D NAND产品的电性能。

主权项

1.一种3D NAND闪存的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：提供具有接触孔的衬底；采用原子层沉积的方法于接触孔中非均匀的进行氧化物充填，以形成充填氧化物层；回刻所述充填氧化物层；采用原子层沉积的方法于接触孔中非均匀的进行插塞氧化物充填，以在所述接触孔内形成中间空隙；对所述插塞氧化物进行平坦化处理，以露出衬底堆叠结构最上层的氮化硅层；回刻所述插塞氧化物，以形成沟槽底部平整的多晶硅的沉积沟槽；沉积多晶硅以形成插塞多晶硅。