[发明专利]用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备在审
| 申请号： | 201710706402.7 | 申请日： | 2011-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107578972A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·凯姆;约瑟夫·D·斯威尼;安东尼·M·阿维拉;理查德·S·雷 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/30;H01J37/317;H01L21/22;H01L21/223;H01L21/265;F17C7/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 顾晨昕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备，并提供一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 离子 注入 系统 中的 离子源 寿命 性能 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于离子注入的封装式气体混合物，其包含气体存储与分配容器，所述气体存储与分配容器包含气体混合物，所述气体混合物包含掺杂气体、稀释气体和任选的同质气体，其中所述掺杂气体包含为硼掺杂物料的掺杂物料，且所述稀释气体包含氢气，且其中所述掺杂气体和，当存在时，所述同质气体中的至少一者是以高于至少一种同位素的天然丰度水平富含同位素的，其中所述气体存储与分配容器构成单一的气体供应容器。
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