[发明专利]用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法有效
| 申请号： | 201710700258.6 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107768304B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 亚当·扬德尔;塞马·埃梅兹;劳伦斯·施洛斯;桑杰·戈皮纳特;迈克尔·达内克;西维·尼奥;约瑟亚·科林斯;汉娜·班诺乐克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法，具体提供了用于减少线弯曲的方法和装置：在将诸如钨、钼、钌或钴等金属沉积到衬底上的特征中时，在原子层沉积、化学气相沉积或顺序化学气相沉积期间将特征周期性地暴露于氮、氧或氨，以便减少沉积在特征侧壁上的金属之间的相互作用。方法适合于沉积到V形特征内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 填充 工艺 期间 防止 弯曲 方法 | ||
【主权项】：
一种填充在衬底上的特征以形成线的方法，所述方法包括：(a)提供具有多个间隔开的特征的衬底，相邻特征之间的间距为介于约20nm和约40nm之间，每个特征具有特征开口宽度，其中，所述特征的宽度从所述特征的顶部到所述特征的底部变窄；(b)在所述衬底上的所述多个特征中沉积第一量的钨；(c)在沉积所述第一量的钨之后，将所述多个特征中的所述第一量的钨暴露于氮气中；以及(d)在所述多个特征中的所述第一量的钨上沉积第二量的钨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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