[发明专利]一种减少扩散面刻蚀线的工艺在审
| 申请号： | 201710689661.3 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107492488A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 刘文国;苏世杰;李强强;张玉前;周守亮 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少扩散面刻蚀线的工艺，包括以下步骤S1、镀固态边框膜沿着待刻蚀硅片的扩散面边缘，镀一层宽度1～2mm、高度0.5～1mm的固态边框膜；S2、加水成型水膜向S1中得到的固态边框膜内腔中加入水，形成一定高度的水膜；S3、进行刻蚀将S2中成型水膜后的待刻蚀硅片放入常规刻蚀设备进行刻蚀；S4、去除膜层将S3中刻蚀完成后的硅片进行水膜和固态边框膜的去除。本发明通过固态边框膜和水膜之间的配合使用，实现了使用材料少、镀膜时间短的效果，且不会造成水膜破裂，从而有效地隔离刻蚀液对扩散面的腐蚀，从而明显的降低了扩散面刻蚀线的面积，降低了扩散面不良刻蚀线的产生，也降低了刻蚀工序的不良隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 扩散 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种减少扩散面刻蚀线的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、镀固态边框膜：沿着待刻蚀硅片的扩散面边缘，镀一层宽度1～2mm、高度0.5～1mm的固态边框膜；S2、加水成型水膜：向S1中得到的固态边框膜内腔中加入水，形成一定高度的水膜；S3、进行刻蚀：将S2中成型水膜后的待刻蚀硅片放入常规刻蚀设备进行刻蚀；S4、去除膜层：将S3中刻蚀完成后的硅片进行水膜和固态边框膜的去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
