[发明专利]闪存的制造方法

摘要

本发明提供了一种闪存的制造方法，包括在衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅层、控制栅层以及介质层，刻蚀所述介质层以暴露出控制栅层，再在刻蚀产生的开口侧壁上形成第一侧墙，以第一侧墙作为掩模，刻蚀开口底部的控制栅层，减薄所述第一侧墙的厚度，使所述第一侧墙后退露出由于蚀刻所产生的控制栅层尖端，对所述控制栅层尖端进行氧化处理，使其钝化变得圆润，避免了在擦除数据时，字线栅和控制栅之间形成高电场，控制栅尖端放电而击穿器件的问题，提高了器件的可靠性和稳定性。

主权项

一种闪存的制造方法，其特征在于，所述闪存的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅氧化层、浮栅层、控制栅层及介质层；刻蚀所述介质层形成一开口，以暴露出所述控制栅层；在所述开口的侧壁上形成第一侧墙；刻蚀所述开口内的控制栅层，形成控制栅层尖端；横向减薄所述第一侧墙以暴露出所述控制栅层尖端；对所述控制栅层尖端进行氧化处理。