[发明专利]高密度斯格明子薄膜材料有效
| 申请号： | 201710673605.0 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109390463B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张颖;何敏;李刚;蔡建旺;谷林;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;张磊 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高密度斯格明子薄膜材料，包括依次堆叠的第一重金属薄膜、Co层和第二重金属薄膜，所述Co层在平行和垂直于其膜面方向上都具有磁矩分量，所述Co层的厚度与其自旋重取向转变区临界厚度的比值大于1且不大于1.2。本发明的斯格明子薄膜材料能形成高密度斯格明子，且能在宽温区内和一定外加磁场下稳定存在。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 明子 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种高密度斯格明子薄膜材料，其特征在于，包括依次堆叠的第一重金属薄膜、Co层和第二重金属薄膜，所述Co层在平行和垂直于其膜面方向上都具有磁矩分量，所述Co层的厚度与其自旋重取向转变区临界厚度的比值大于1且不大于1.2。
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