[发明专利]基于单级CMOS的电压四倍器电路有效
| 申请号： | 201710666919.8 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109274262B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | V·拉纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种单级电压四倍器电路，包括第一电容式电压升压电路，该第一电容式电压升压电路响应于第一时钟信号并且可操作用于响应于该第一时钟信号而将第一节点处的电压从第一电压电平提升至基本上为该第一电压电平的两倍的第二电压电平。传输晶体管响应于控制信号而将该第一节点处的该升压后电压选择性地传输至第二节点，该控制信号是由自举电容器电路响应于该经电平转换的第一时钟信号而生成的。第二电容式升压电路可操作用于响应于作为该经电平转换的第一时钟信号的逻辑反相的经电平转换的第二时钟信号而将该第二节点处的电压提升至基本上为该第一电压电平的四倍的第三电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 电压 四倍器 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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