[发明专利]基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成表面钝化层，并于表面钝化层内形成第一窗口及第二窗口；制作栅极金属电极、第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极。通过上述方案，本发明对MOS电容器的界面进行了优化，在栅介质层与外延层之间引入了界面钝化层，可消除MOS器件界面处不利的界面层，降低了界面密度和界面陷阱，制备方法简单，效果显著，提供了一种有效提高栅介质层与碳化硅界面特性的途径，具有广泛的应用前景。

主权项

一种基于界面钝化层的MOS电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一重掺杂的衬底，且所述衬底具有第一表面和第二表面，并于所述第一表面上形成轻掺杂的外延层；2)于所述外延层内定义栅区，并于环绕所述栅区的外延层中进行重掺杂，形成欧姆接触区；3)于所述栅区表面形成界面钝化层，并于所述界面钝化层表面形成栅结构，其中，所述界面钝化层用于消除与其相接触的界面之间的坏层；4)于步骤3)所得到的结构的表面形成表面钝化层，并于所述表面钝化层内形成第一窗口及第二窗口，所述第一窗口与所述栅结构相对应，所述第二窗口环绕所述第一窗口且与所述欧姆接触区相对应；5)制作栅极金属电极、第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极，所述栅极金属电极形成于所述第一窗口内与所述栅结构电连接，所述第一欧姆接触电极形成于所述第二窗口内与所述欧姆接触区电连接，所述第二欧姆接触电极形成于所述衬底的第二表面上。