[发明专利]半导体生产设备及其水分去除方法在审
| 申请号： | 201710651713.8 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109390247A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体生产设备及其水分去除方法，半导体生产设备包括：晶圆加载区，具有加载互锁真空装置；供气系统，具有供气管路，供气管路包括进气口及出气口，供气管路经由出气口与晶圆加载区内部相连通；及水分去除装置，位于供气管路内，水分去除装置包括至少一个第一水分过滤器和至少一个加热器，加热器位于第一水分过滤器靠近供气管路的进气口的一侧。本发明的半导体生产设备能够预先排除外溢的晶圆处理残留气体并改善晶圆加载区为无水气环境；本发明的半导体生产设备具有结构简单、使用方便、成本低廉及水分去除效果显着等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体生产设备 供气管路 晶圆 水分去除 加载区 进气口 水分去除装置 加热器 水分过滤器 出气口 残留气体 供气系统 真空装置 互锁 加载 无水 | ||
【主权项】：
1.一种半导体生产设备，其特征在于，所述半导体生产设备包括：晶圆加载区，具有加载互锁真空装置；供气系统，具有供气管路，所述供气管路包括进气口及出气口，所述供气管路经由所述出气口与所述晶圆加载区内部相连通，用于通过所述供气管路向所述晶圆加载区提供清洁气体；及水分去除装置，位于所述供气管路内，用于去除所述供气管路内气体的水分，所述水分去除装置包括至少一个第一水分过滤器和至少一个加热器，所述加热器位于所述第一水分过滤器靠近所述供气管路的进气口的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
