[发明专利]QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710641801.X | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326726B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 梁柱荣;曹蔚然;刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种QLED器件，包括依次设置的阳极、p型石墨烯层、空穴注入层、量子点发光层和阴极，其中，所述p型石墨烯层由p型掺杂石墨烯制成，所述p型掺杂石墨烯选自吸附掺杂石墨烯、晶格掺杂石墨烯中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次设置的阳极、p型石墨烯层、空穴注入层、量子点发光层和阴极，其中，所述p型石墨烯层由p型掺杂石墨烯制成，所述p型掺杂石墨烯选自吸附掺杂石墨烯、晶格掺杂石墨烯中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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