[发明专利]图案化方法在审
申请号: | 201710628501.8 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN109309091A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 张峰溢;李甫哲;陈界得 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/768;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种图案化方法,包含在硬掩模层上形成第一间隙壁图案和第一周围图案,形成平坦化层覆盖第一间隙壁图案和第一周围图案,在平坦化层上形成第二间隙壁图案和第二周围图案,其中第二间隙壁图案和第一间隙壁图案部分重叠,第二周围图案和第一周围图案完全不重叠。移除未重叠于第二间隙壁图案的第一间隙壁图案,形成一阵列图案,然后同时以该阵列图案、该第二周围图案和该第一周围图案为掩模对硬掩模层进行蚀刻,形成一图案化硬掩模层。 | ||
搜索关键词: | 图案 间隙壁 平坦化层 硬掩模层 图案化 图案化硬掩模层 蚀刻 阵列图案 不重叠 掩模 移除 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种图案化方法,包含:提供一硬掩模层,包含阵列区和周围区;在该硬掩模层上形成一第一材料层;图案化该第一材料层,分别在该阵列区和该周围区形成一第一阵列图案和一第一周围图案;进行一第一自对准反相图案化制作工艺,将该第一阵列图案转变成一第一间隙壁图案;形成一平坦化层,完全覆盖该第一间隙壁图案和该第一周围图案;在该平坦化层上形成一第二材料层;图案化该第二材料层,分别在该阵列区和该周围区形成一第二阵列图案和一第二周围图案;进行一第二自对准反相图案化制作工艺,将该第二阵列图案转变成一第二间隙壁图案,其中该第二间隙壁图案与该第一间隙壁图案部分重叠,该第二周围图案与该第一周围图案完全不重叠;以该第二间隙壁图案和该第二周围图案为掩模蚀刻该平坦化层,暴露出部分该第一间隙壁图案,并且完全暴露出该第一周围图案;移除该第一间隙壁图案暴露的部分,形成一第三阵列图案;以该第三阵列图案、该第二周围图案和该第一周围图案为掩模蚀刻该硬掩模层,形成一图案化硬掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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