[发明专利]图案化方法在审

专利信息
申请号: 201710628501.8 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN109309091A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 张峰溢;李甫哲;陈界得 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/768;H01L21/3065
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种图案化方法,包含在硬掩模层上形成第一间隙壁图案和第一周围图案,形成平坦化层覆盖第一间隙壁图案和第一周围图案,在平坦化层上形成第二间隙壁图案和第二周围图案,其中第二间隙壁图案和第一间隙壁图案部分重叠,第二周围图案和第一周围图案完全不重叠。移除未重叠于第二间隙壁图案的第一间隙壁图案,形成一阵列图案,然后同时以该阵列图案、该第二周围图案和该第一周围图案为掩模对硬掩模层进行蚀刻,形成一图案化硬掩模层。
搜索关键词: 图案 间隙壁 平坦化层 硬掩模层 图案化 图案化硬掩模层 蚀刻 阵列图案 不重叠 掩模 移除 覆盖
【主权项】:
1.一种图案化方法,包含:提供一硬掩模层,包含阵列区和周围区;在该硬掩模层上形成一第一材料层;图案化该第一材料层,分别在该阵列区和该周围区形成一第一阵列图案和一第一周围图案;进行一第一自对准反相图案化制作工艺,将该第一阵列图案转变成一第一间隙壁图案;形成一平坦化层,完全覆盖该第一间隙壁图案和该第一周围图案;在该平坦化层上形成一第二材料层;图案化该第二材料层,分别在该阵列区和该周围区形成一第二阵列图案和一第二周围图案;进行一第二自对准反相图案化制作工艺,将该第二阵列图案转变成一第二间隙壁图案,其中该第二间隙壁图案与该第一间隙壁图案部分重叠,该第二周围图案与该第一周围图案完全不重叠;以该第二间隙壁图案和该第二周围图案为掩模蚀刻该平坦化层,暴露出部分该第一间隙壁图案,并且完全暴露出该第一周围图案;移除该第一间隙壁图案暴露的部分,形成一第三阵列图案;以该第三阵列图案、该第二周围图案和该第一周围图案为掩模蚀刻该硬掩模层,形成一图案化硬掩模层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司,未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710628501.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top