[发明专利]一种调节薄膜应力的方法和由此制备得到的薄膜在审
| 申请号： | 201710621637.6 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107435133A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 赵升升 | 申请（专利权）人： | 深圳职业技术学院 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 | 代理人： | 李琴 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调节薄膜应力的方法和由此制备得到的基体表面镀覆的薄膜。所述方法包括S1、将基体装入真空腔室，通入Ar气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀对基体表面进行轰击；S2、停止通入Ar气体而通入N2气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀在基体表面沉积薄膜底层；S3、冷却基体使其温度控制在0～10℃，继续通入N2气体，对基体施加负偏压，采用磁控溅射在基体表面沉积薄膜中间层；S4、继续通入N2气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀在基体表面沉积薄膜顶层。制备得到的薄膜包括柱状晶结构的薄膜底层、非晶纳米晶混合结构的薄膜中间层和柱状晶结构的薄膜顶层。本发明能够有效地缓解薄膜应力，十分有利于改善薄膜应力状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 薄膜 应力 方法 由此 制备 得到 | ||
【主权项】：
一种调节薄膜应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将基体装入真空腔室，通入Ar气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀对基体表面进行轰击；S2、停止通入Ar气体而通入N2气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀在基体表面沉积薄膜底层；S3、冷却基体使其温度控制在0～10℃，继续通入N2气体，对基体施加负偏压，采用磁控溅射在基体表面沉积薄膜中间层；S4、继续通入N2气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀在基体表面沉积薄膜顶层。
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