[发明专利]一种提高复投单晶硅成晶率的方法有效
| 申请号： | 201710594992.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107460538B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 霍志强;马国瑞;刘有益;杨瑞峰;王凯;吴若林;梁山;贾海洋;谷守伟 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李成运 |
| 地址： | 010070 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高复投单晶硅成晶率的方法，通过复投料筒向坩埚内投入硅料，当投入坩埚内硅料液面高出坩埚底部圆角一定距离后，通过该复投料筒向坩埚内投入数克碳酸钡，然后通过该复投料筒继续向坩埚内投入硅料。本方法中，坩埚被腐蚀后二氧化硅裸露出，投入碳酸钡粉末后，加热后生成氧化钡，氧化钡和二氧化硅反应生成BaSiO3，由于硅酸钡的存在，使得石英坩埚壁上形成一层致密微小的方石英结晶，从而减缓石英坩埚被溶液腐蚀的程度，同时，由于针孔处形成了方石英结晶，从而减少进入硅溶液中的杂质气体，达到提高复投后直拉单晶硅的成晶率。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 投料筒 硅料 单晶硅 石英坩埚 方石英 氧化钡 二氧化硅反应 针孔 致密 碳酸钡粉末 直拉单晶硅 底部圆角 二氧化硅 溶液腐蚀 杂质气体 硅溶液 硅酸钡 碳酸钡 液面高 加热 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种提高复投单晶硅成晶率的方法，其特征在于：拉晶生产至坩埚内剩余20‑30％液态硅料时，通过复投料筒向坩埚内投入硅料，当投入坩埚内硅料液面高出坩埚底部圆角25‑35mm距离后，通过该复投料筒向坩埚内投入封于料块内的数克碳酸钡，然后通过该复投料筒继续向坩埚内投入硅料。
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