[发明专利]一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路有效
| 申请号： | 201710586967.6 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109274336B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 肖云钞 | 申请（专利权）人： | 杭州晶华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/36 | 分类号： | H03B5/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310052 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路架构，主要包括双跨导晶振主电路、幅度控制辅助电路和输出驱动辅助电路。其中所述双跨导晶振主电路包括输入管、偏置输入管、放大器反馈电阻和桥接电容，能实现小面积和全MOS管及超低电压超低功耗；其中所述幅度控制辅助电路实现幅度控制；其中所述输出驱动辅助电路实现轨对轨的全摆幅输出，直接作为前端双跨导晶振模拟模块和数字模块的接口电路。本发明可解决现有技术中功耗较大和大电阻大面积等缺点，实现一种超低电压超低功耗的的全MOS自偏置晶体振荡器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 功耗 晶体振荡器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种超低电压超低功耗晶体振荡器电路，其包括晶振、负载电容、双跨导晶振主电路、幅度控制辅助电路和输出驱动辅助电路；其中所述双跨导晶振主电路包括输入管、偏置输入管、放大器反馈电阻和桥接电容。
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