[发明专利]晶体管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710581416.0 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN108735603B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李凱璿;赖柏宇;王圣祯;杨世海;陈燕铭;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶体管装置及其制造方法。晶体管装置的制造方法包含形成金属栅极在第一层间介电质内、在金属栅极及第一层间介电质上进行处理、选择性成长硬遮罩在金属栅极上，且不从第一层间介电质成长硬遮罩、沉积第二层间介电质在硬遮罩及第一层间介电质上、平坦化第二层间介电质及硬遮罩，以及形成栅极接触插塞穿过硬遮罩，以电性耦合金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一金属栅极在一第一层间介电质内；在该金属栅极及该第一层间介电质上进行一处理；选择性成长一硬遮罩在该金属栅极上，且不从该第一层间介电质成长该硬遮罩；沉积一第二层间介电质在该硬遮罩及该第一层间介电质上；平坦化该第二层间介电质及该硬遮罩；以及形成一栅极接触插塞，其中该栅极接触插塞穿过该硬遮罩，以电性耦合该金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
