[发明专利]图案处理方法在审
| 申请号： | 201710561637.1 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107665814A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 成镇旭;李明琦;朴钟根;J·A·凯茨;V·吉安;C·吴;P·D·赫士德 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/038 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈哲锋,胡嘉倩 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种图案处理方法，其包含(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征；(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和有机溶剂，其中所述嵌段共聚物包含(i)包含由4‑乙烯基‑吡啶形成的第一单元的第一嵌段，和(ii)包含由乙烯基芳香族单体形成的第一单元的第二嵌段；和(c)从所述衬底去除残余图案收缩组合物，在所述图案化特征的表面上方留下所述嵌段共聚物的涂层，由此提供与涂布所述图案处理组合物之前的图案化特征的图案间距相比减小的图案间距。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征；(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征，其中所述图案处理组合物包含：嵌段共聚物和有机溶剂，其中所述嵌段共聚物包含：(i)包含由4‑乙烯基‑吡啶形成的第一单元的第一嵌段，和(ii)包含由乙烯基芳香族单体形成的第一单元的第二嵌段；和(c)从所述衬底去除残余图案收缩组合物，在所述图案化特征的表面上方留下所述嵌段共聚物的涂层，由此提供与涂布所述图案处理组合物之前的图案化特征的图案间距相比减小的图案间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
