[发明专利]一种双面发光LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种双面发光LED芯片，包括具有第一和第二表面的透明衬底，两个表面经过抛光或图形化处理；第一和第二表面外延生长第一和第二芯片外延结构层，第一芯片外延结构层包括第一P型半导体层和第一N型半导体层，第二芯片外延结构层包括第二P型半导体层和第二N型半导体层；第一芯片外延结构层上设置有P型电流扩散层，P型电流扩散层上设置有一小面积第一P型电极，第一N型半导体层上设置有一第一N型电极；第二芯片外延结构层的第二P型半导体层上设置有一大面积第二P型电极，第二N型半导体层上设置有一第二N型电极。通过对透明衬底片的上下表面进行发光外延结构制备，可以双面发光，提高了出光效率，改变封装模式提高散热。

主权项

一种双面发光LED芯片，其特征在于，包括：一透明衬底，由透明材料制成，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，所述第一表面和第二表面经过抛光或图形化处理；一第一芯片外延结构层，外延生长于第一表面；一第二芯片外延结构层，外延生长于第二表面；所述第一芯片外延结构层和所述第二芯片外延结构层对称分布，所述第一芯片外延结构层包括第一P型半导体层和第一N型半导体层，所述第二芯片外延结构层包括第二P型半导体层和第二N型半导体层；所述第一芯片外延结构层上设置有P型电流扩散层，所述P型电流扩散层上设置有一小面积第一P型电极，所述第一N型半导体层上设置有一第一N型电极；所述第二芯片外延结构层的第二P型半导体层上设置有一大面积第二P型电极，所述第二N型半导体层上设置有一第二N型电极。