[发明专利]用于沉积阻挡层以防止光致抗蚀剂中毒的衬底处理方法有效
| 申请号： | 201710532189.2 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107578982B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 大卫·张;伊利亚·卡利诺夫斯基 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于沉积阻挡层以防止光致抗蚀剂中毒的衬底处理方法。具体而言，一种用于沉积阻挡层的方法包括：a)将包含氮化物层的衬底布置在处理室中；b)将所述处理室中的工艺温度设定到预定的工艺温度范围；c)将所述处理室中的工艺压强设定到预定的工艺压强范围；d)提供包括有机硅烷前体物质的气体和蒸气中的至少一种；以及e)在所述氮化物层上沉积阻挡层。所述阻挡层减少所述氮化物层中的扩散到随后沉积在所述氮化物层上的光致抗蚀剂层中的含氮基团。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 阻挡 防止 光致抗蚀剂 中毒 衬底 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沉积阻挡层的方法，其包括：a)将包含氮化物层的衬底布置在处理室中；b)将所述处理室中的工艺温度设定到预定的工艺温度范围；c)将所述处理室中的工艺压强设定到预定的工艺压强范围；d)提供包括有机硅烷前体物质的气体和蒸气中的至少一种；以及e)在所述氮化物层上沉积阻挡层，其中所述阻挡层减少所述氮化物层中的扩散到随后沉积在所述氮化物层上的光致抗蚀剂层中的含氮基团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
