[发明专利]掩模结构与掩模制程方法有效
| 申请号： | 201710514850.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108227414B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李信昌;许倍诚;林云跃;陈炫辰;王宣懿;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种掩模结构，包括：一极紫外光掩模；一薄膜组件，附接于该极紫外光掩模，其中该薄膜组件包括：一薄膜框架；多个薄膜层，附接于该薄膜框架，其中该些薄膜层包括：至少一层核心薄膜层；以及一额外薄膜层，位于该至少一层核心薄膜层之上，且为该些薄膜层的最接近相邻该极紫外光掩模的一层，其中该额外薄膜层为碳化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 掩模制程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模结构，包括：一极紫外光掩模；一薄膜组件，附接于该极紫外光掩模，其中该薄膜组件包括：一薄膜框架；多个薄膜层，附接于该薄膜框架，其中该些薄膜层包括：至少一层核心薄膜层；以及一额外薄膜层，位于该至少一层核心薄膜层之上，且为该些薄膜层的最接近相邻该极紫外光掩模的一层，其中该额外薄膜层为碳化硅。
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