[发明专利]基于不同高度铜柱的三维封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710487603.2 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107195617A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李恒甫 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/498;H01L21/60;H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于不同高度铜柱的三维封装结构，包括封装基板；位于封装基板第一表面的外接焊球；至少两层位于封装基板内部和或表面的电路，及至少一层层间通孔；位于封装基板第二表面的第一焊盘和第二焊盘；位于第一焊盘上的第一铜柱，及位于第二焊盘上的第二铜柱；连接于第一铜柱上的第一芯片焊接结构和第一芯片，及连接于第二铜柱上的第二芯片焊接结构和第二芯片；其中，所述第二铜柱高于第一铜柱，第一芯片至少部分的位于第二芯片的焊接面与封装基板之间，从而使第一芯片和第二芯片在封装基板上形成三维封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 不同 高度 三维 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于不同高度铜柱的三维封装结构，包括：封装基板；位于封装基板第一表面的外接焊球；至少两层位于封装基板内部和或表面的电路，及至少一层层间通孔；位于封装基板第二表面的第一焊盘和第二焊盘；位于第一焊盘上的第一铜柱，及位于第二焊盘上的第二铜柱；连接于第一铜柱上的第一芯片焊接结构和第一芯片，及连接于第二铜柱上的第二芯片焊接结构和第二芯片；其中，所述第二铜柱高于第一铜柱，第一芯片至少部分的位于第二芯片的焊接面与封装基板之间，从而使第一芯片和第二芯片在封装基板上形成三维封装结构。
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