[发明专利]一种金刚线切割后的硅片清洗方法有效
| 申请号： | 201710469245.2 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107240546B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 刘宝华;任崇荣;谷燕铂;李东东;王立明;任欢欢;梁玲;赵强;王莹 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅片清洗领域，特别是涉及金刚线切割后的硅片领域。一种金刚线切割后的硅片清洗方法，按照如下的步骤进行，步骤一、将金刚线切割过的硅片在柠檬酸水溶液中清洗的步骤；步骤二、硅片在碱性清洗剂中清洗的步骤；步骤三、硅片在双氧水中清洗的步骤。通过碱洗前增加弱酸活化工艺，使得其硅片表面残留的金属离子更少，碱洗后增加双氧水清洗工艺祛除表面残留碱液、有机物、金属离子，同时使表面损伤层去除更大。硅片在后续电池制绒过程金字塔绒面的覆盖率更高，绒面更均一。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚 切割 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种金刚线切割后的硅片清洗方法，其特征在于：按照如下的步骤进行步骤一、将金刚线切割过的硅片在柠檬酸水溶液中清洗的步骤；步骤二、硅片在碱性清洗剂中清洗的步骤；步骤三、硅片在双氧水中清洗的步骤。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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