[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成介电层，介电层内形成有开口；在开口底部和侧壁上形成钌层，钌层覆盖介电层顶部；形成填充满开口且覆盖钌层的铜层；对铜层进行第一化学机械研磨操作，去除部分厚度铜层；对铜层进行第二化学机械研磨操作，去除高于钌层顶部的铜层，研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂；对铜层进行第三化学机械研磨操作，去除位于介电层顶部的铜层，研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂。本发明所述第二化学机械研磨操作和第三化学机械研磨操作的研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂，从而降低铜层发生腐蚀的概率。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介电层，所述介电层内形成有开口；在所述开口的底部和侧壁上形成钌层，所述钌层还覆盖所述介电层顶部；形成填充满所述开口的铜层，所述铜层还覆盖所述钌层；对所述铜层进行第一化学机械研磨操作，去除部分厚度的所述铜层；对所述铜层进行第二化学机械研磨操作，去除高于所述钌层顶部的所述铜层，所述研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂；对所述铜层进行第三化学机械研磨操作，去除位于所述介电层顶部的所述铜层，所述研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂。