[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710440408.4 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN107612531B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 中岛荣 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082;H03K17/687
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置。在相关技术的半导体装置中存在如下问题:在反向电流发生之后电路操作不能被返回。在一个实施例中,半导体装置包括:定时器块,被配置为响应于指示功率MOS晶体管接通的控制信号被使能而将计数值向上计数到预定值;以及保护晶体管,包括连接到功率MOS晶体管的栅极的漏极、连接到功率MOS晶体管的源极的源极和背栅极,以及在其中形成功率MOS晶体管的外延层,该外延层被供应有电源电压。保护晶体管响应于功率MOS晶体管的输出电压满足预定条件并且计数值达到预定值而使功率MOS晶体管的源极和栅极短路。当功率MOS晶体管的输出电压不再满足预定条件时,定时器块复位计数值。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,用于驱动功率MOS晶体管,所述功率MOS晶体管具有被供应有电源电压的漏极和连接到负载电路的源极,所述半导体装置包括:输出电压检测块,被配置为输出在功率MOS晶体管的源极电压被确定为低于第一阈值电压的时段中被使能的电压确定信号,所述第一阈值电压通过从所述电源电压减去预定的第一确定电压而获得;定时器块,被配置为响应于指示所述功率MOS晶体管接通的控制信号被使能而将计数值向上计数到预定值;保护开始指令电路,被配置为响应于所述电压确定信号被使能并且所述计数值达到所述预定值而将保护开始信号切换为被使能;以及保护晶体管,包括:所述保护开始信号被输入到其的栅极,连接到所述功率MOS晶体管的栅极的漏极,连接到所述功率MOS晶体管的源极的源极和背栅极,以及被供应有所述电源电压的外延层,其中所述定时器块响应于所述电压确定信号被禁用而复位所述计数值。
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