[发明专利]一种声表面波器件单面抛光衬底片制备方法

摘要

本发明公开了一种声表面波器件单面抛光衬底片制备方法，依次包括如下步骤，毛坯晶片腐蚀；毛坯晶片打毛；打毛后的晶片再腐蚀；晶片非加工面粘接；抛光面细磨、精磨；晶片分离并腐蚀；倒角；两晶片非抛光面粘接；抛光面粗抛；CMP精抛；工件分离并清洗。其中晶片粘接采用水溶性粘接剂，由阿拉伯树胶、纯水、铝矾和甘油构成。同时在打磨和抛光环节同时进行两面的打磨和抛光。本发明通过工艺改进，产品良品率达到95%以上，具有产品指标一致性好、技术指标高、加工效率高、生产成本低、工艺易实现和易监控等特点，能够满足产业化大规模批生产的要求。

主权项

1.一种声表面波器件单面抛光衬底片制备方法，其特征在于：包括如下步骤，1）毛坯晶片腐蚀：将毛坯晶片放入腐蚀液中，以消除毛坯晶片中的应力，同时可减少后续加工的裂片率；2）毛坯晶片打毛：将毛坯晶片两面打毛，磨削量0.03mm/片，压力1‑1.5Kg/片，时间10‑20min；3）晶片腐蚀：将步骤2）打毛后的晶片放入腐蚀液中，利用腐蚀液消除产品加工应力；4）晶片粘结：使用粘接剂将两片晶片非加工面粘接保护起来；5）抛光面细磨、精磨：将粘接后的两晶片装入行星轮中，采用聚胺脂抛光革为磨盘，白刚玉为磨料，同时对产品两面进行细磨和精磨，总磨削量30‑40μm，并使表面在强光下肉眼观察无划道，产品粗糙度≤50nm；6）晶片分离并腐蚀：将步骤5）加工后的两晶片分离，再放入腐蚀液中消除应力；7）倒角：对晶片上下两面与圆周面的结合部进行倒角处理；8）晶片粘结：使用粘接剂将倒角后两晶片非抛光面粘接保护起来；9）抛光面粗抛：采用钻石膏同时对粘接在一起的两晶片抛光面进行机械抛光，抛光革采用合成纤维抛光革，抛光量0.02mm/片，压力3‑4Kg/片，时间200‑300min，抛光完成后应使产品在强光下观察无划痕，粗糙度Ra＜2nm；10）CMP精抛：步骤9）粗抛后，再同时对粘接在一起的两晶片抛光面进行CMP精抛；11）工件分离并清洗；步骤4）和步骤8）所述粘接剂为水溶性粘接剂，由阿拉伯树胶、纯水、铝矾和甘油构成，四者质量比为100∶160‑185∶15‑30∶15‑25；步骤6）晶片分离直接在纯水中浸泡实现。