[发明专利]光发射元件在审
| 申请号： | 201710431945.2 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107611778A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 城岸直辉;樱井淳;村上朱实;近藤崇;早川纯一朗 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 顾红霞,龙涛峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光发射元件，其包括光发射部分，其形成在半绝缘基板的前表面侧；以及光接收部分，其形成在前表面侧，与光发射部分共享半导体层，并且接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光，其中，光发射部分和光接收部分各自的阳极电极以及阴极电极以阳极电极彼此分离并且阴极电极彼此分离的状态形成在前表面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 元件 | ||
【主权项】：
一种光发射元件，包括：光发射部分，其形成在半绝缘基板的前表面侧；以及光接收部分，其形成在所述前表面侧，与所述光发射部分共享半导体层，并且接收来自所述光发射部分通过所述半导体层沿横向方向传播的光，其中所述光发射部分和所述光接收部分各自的阳极电极以及阴极电极以所述阳极电极彼此分离并且所述阴极电极彼此分离的状态形成在所述前表面侧。
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