[发明专利]一种光缆及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710416895.0 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN107287569B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 赵琰;张东;李昱材;宋世巍;王健;毛红艳;于源;杜士鹏;郑俊哲;柯昀杰;王帅杰 申请(专利权)人: 沈阳工程学院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06
代理公司: 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 代理人: 赵艳
地址: 110136 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种光缆及其制备方法,光缆上由内向外依次沉积MgO保护薄膜和BCN保护薄膜,得到具有BCN/MgO双层保护薄膜的光缆,MgO保护薄膜的厚度100nm~200nm,BCN保护薄膜的厚度200nm~400nm;所述BCN保护薄膜的B、C、N摩尔浓度比为1~3:2~5:10~20;其制备方法:光缆擦拭干净后,氮气吹干;在光缆上沉积制备MgO保护薄膜,在MgO保护薄膜的基础上沉积BCN保护薄膜;得到BCN/MgO双层保护薄膜;本发明利用可精确控制的低温沉积的溅射技术,在光缆表面沉积出高质量的BCN/MgO保护薄膜,BCN/MgO薄膜具有耐酸碱,抗腐蚀,很大程度减轻光缆保护套的重量。
搜索关键词: 一种 光缆 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种光缆的制备方法,其特征在于,该方法包括如下的步骤:1)将光缆擦拭干净后,氮气吹干;2)在光缆表面沉积制备BCN/MgO双层保护薄膜:取步骤1)中的光缆制备MgO保护薄膜,在MgO保护薄膜材料的基础上继续沉积制备BCN保护薄膜,最终得到具有BCN/MgO双层保护薄膜的光缆;所述制备MgO保护薄膜,采用磁控溅射设备在光缆表面沉积制备MgO保护薄膜,其反应条件和实验参数为:以高纯度MgO作为溅射靶材,通入高纯度氧气,抽真空到10‑3pa~10‑4pa之间,氧气流量为80~120sccm,氩气流量为40~60sccm,氧气与氩气流量为2:1~3:1,溅射时间55~65min,温度50~55℃;得到MgO保护薄膜;所述制备BCN保护薄膜,在MgO保护薄膜的基础上采用磁控溅射设备沉积制备BCN保护薄膜,其反应条件和实验参数为:继续抽真空到10‑3pa~10‑4pa之间,以高纯B为溅射靶材,其氮气流量为80sccm~300sccm,其甲烷气体流量为20sccm~100sccm,其甲烷气体与氮气流量比例为CH4:N2=1:3~1:9,溅射时间10min~60min,溅射温度为30~50℃,得到BCN保护薄膜材料。
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