[发明专利]一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法

摘要

本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法，属于工业硅技术领域。首先将工业硅块进行破碎，并球磨至硅粉粒度为150～200目；将硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料；将得到的混合物料加热到1300～1400℃，从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar，硅铝熔液合金化20～30min；经硅铝熔液合金化后，保持温度不变，从顶部吹入氩气和氧气的混合气体精炼2～4h后停止通气，完成吹气精炼过程；吹气精炼过程完成后，停止加热，由底部通入1000mL/min的Ar保护气体，待炉内降至室温后取出坩埚，将样品表面的渣层分离后得到硅块；将得到的硅块进行破碎用盐酸清洗硅中的残铝，最后得到精炼后的硅粉。本发明向工业硅中添加铝，通过吹氧精炼，高效去除工业硅中硼杂质。

主权项

一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法，其特征在于具体步骤包括如下：（1）首先将工业硅块进行破碎，并球磨至硅粉粒度为150～200目；（2）将步骤（1）中的硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料，混合物料中铝含量质量为5～20%；（3）将步骤（2）得到的混合物料加热到1300～1400℃，从顶部吹入流速为200mL/min的高纯Ar，硅铝熔液合金化20～30min；（4）经步骤（3）硅铝熔液合金化后，保持温度不变，从顶部吹入氩气和氧气的混合气体，混合气体中氧气体积含量为5～15%，气体流速为10～100mL/min，精炼2～4h后停止通气，完成吹气精炼过程；（5）吹气精炼过程完成后，停止加热，由底部通入1000mL/min的Ar保护气体，待炉内降至室温后取出坩埚，将样品表面的渣层分离后得到硅块；（6）将步骤（5）得到的硅块进行破碎并球磨至硅粉粒度250～325目，用盐酸清洗硅中的残铝，最后得到精炼后的硅粉。