[发明专利]SOI存储器件有效
| 申请号： | 201710372661.0 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107437507B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 汤玛斯·梅尔迪 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SOI存储器件，提供一种制造半导体器件的方法，包括提供包含半导体本体衬底、形成在半导体本体衬底上的掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的半导体层的绝缘体上硅衬底；和在SOI衬底上形成存储器件，其包括从所述半导体层的一部分形成浮置栅极，在所述浮置栅极上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | soi 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包含：提供包含半导体本体衬底、形成在所述半导体本体衬底上的掩埋氧化物层和形成在所述掩埋氧化物层上的半导体层的绝缘体上硅(SOI)衬底；和在所述SOI衬底上形成存储器件，包含从所述半导体层的一部分形成浮置栅极，在所述浮置栅极上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
