[发明专利]一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201710365485.8 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107123741B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 周孝银 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 33261 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 贺心韬 |
| 地址： | 317205 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机钙钛矿CsPbBr3薄膜光伏电池技术领域，具体涉及一种酞菁染料敏化的CsPbBr3薄膜光伏电池及其制造方法。所述的酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池包括透明导电基底、空穴传输层、CsPbBr3薄膜光敏层、染料敏化层、电子传输层、电极修饰层和反射电极所组成。本发明能够提高CsPbBr3光伏电池的能量转换效率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 染料 cspbbr3 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池，其特征在于，包括透明导电基底、空穴传输层、CsPbBr3薄膜光敏层、染料敏化层、电子传输层、电极修饰层和反射电极所组成；所述的染料敏化层为酞菁染料，染料敏化层为SubPc、ClAlPc、SubNc中的一种，所述的染料敏化层形成在CsPbBr3薄膜光敏层之上，厚度10-20nm，所述的CsPbBr3薄膜光敏层为CsPbBr3的多晶，形成在空穴传输层之上；所述的CsPbBr3薄膜光敏层厚度100-300nm，CsPbBr3薄膜光敏层的表面均方根粗糙度为20-40nm，所述的电子传输层形成在染料敏化层之上；所述的电子传输层为C60、C70、PCBM中的一种，电子传输层厚度为20-50nm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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