[发明专利]一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法有效
| 申请号： | 201810557570.9 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108807692B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 唐江;牛广达;刘念;巫皓迪;尹力骁;潘伟程;杜鑫源;杨波;李鹏骅 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 42201 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 钙钛矿材料 高价阳离子 探测器暗电流 掺杂元素 暗电流 灵敏度 探测器 痕量 价态 载流子 掺杂 半导体探测器 活性层材料 工作偏压 活性材料 有效解决 原子比 调控 | ||
【主权项】：
1.一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，其特征在于，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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