[发明专利]高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法有效
申请号: | 201710362281.9 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107230676B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 江安全;郭会珍;张岩;白子龙 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/11507 | 分类号: | H01L27/11507 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于铁电存储技术领域,具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构;铁电材料的极化方向都分别垂直于电极;当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方向相反的足够大的写电压时,电极所对应区域的铁电畴自极化方向沿电场方向发生反转,电极间电畴极化方向与周边体电畴极化方向相反,在两电畴间形成畴壁,该畴壁通常是导电通道;读取信息时通过导电通道的读电流与导电畴壁周长成正比,导电畴壁周长越长,读电流越大。本发明的铁电存储器可以提高存储单元中的读出电流,有利于提高数据的读取速度和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 读出 电流 挥发 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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