[发明专利]保形低温密闭性电介质扩散屏障有效
| 申请号： | 201710356176.4 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107275309B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | S·金;俞辉在;S·科萨拉朱;T·格拉斯曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了适用作3D外形上方的电介质扩散屏障的保形密闭性电介质膜。在实施例中，电介质扩散屏障包括可通过原子层沉积ALD技术来沉积的诸如金属氧化物之类的电介质层，对于较薄的连续密闭性扩散屏障而言，通过原子层沉积ALD技术沉积的电介质层的保形度和密度大于通过PECVD工艺沉积的传统的基于二氧化硅的膜中可实现的保形度和密度。在其它实施例中，扩散屏障是例如双层的包括高k电介质层和低k或中等k电介质层的多层膜，以减小扩散屏障的介电常数。在其它实施例中，通过在保持较高的膜保形度和密度的同时调节硅酸盐的硅含量来将高k电介质层中的硅酸盐(例如金属硅酸盐)形成为减小扩散屏障的k值。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 密闭 电介质 扩散 屏障 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：在衬底之上的第一低k层间电介质(ILD)层中的第一金属互连结构；在所述第一低k ILD层中的第二金属互连结构，所述第二金属互连结构与所述第一金属互连结构横向相邻并且由所述第一低k ILD层中的沟槽分隔开，所述沟槽具有底部和侧壁；密闭性电介质扩散屏障层，其在所述第一金属互连结构的部分上方并且沿着所述沟槽的所述底部和侧壁是连续的；第二低k ILD层，其在所述密闭性电介质扩散屏障层上、沿着所述沟槽的所述底部和侧壁；以及在所述第二低k ILD层中的气隙，所述气隙具有位于所述第一金属互连结构的所述部分上方的所述密闭性电介质扩散屏障层的顶部之下的顶部。
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