[发明专利]用于制造精细结构的方法在审
| 申请号： | 201710349130.X | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107464748A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;刘继文;郑柏贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种用于制造精细结构的方法中，在衬底上方通过使用原子层沉积形成金属氧化物层；以及去除金属氧化物层。在金属氧化物层和衬底之间形成界面氧化物层。界面氧化物层是构成衬底的元素的氧化物和去除界面氧化物层。本发明实施例涉及用于制造精细结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 精细结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造精细结构的方法，包括：通过使用原子层沉积在衬底上方形成金属氧化物层；以及去除所述金属氧化物层，其中：在所述金属氧化物层和所述衬底之间形成界面氧化物层，所述界面氧化物层是构成所述衬底的元素的氧化物，和所述方法还包括去除所述界面氧化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋，未经台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710349130.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：雾化器（JLN‑2302AS）
- 下一篇：月饼包装盒（滩外楼）
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
