[发明专利]2级存储器分级结构中的存储器侧高速缓存的动态部分断电有效
| 申请号： | 201710343834.6 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107368433B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | R.K.拉马努詹;G.J.欣顿;D.J.齐默曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/0811 | 分类号： | G06F12/0811;G06F12/0868;G06F12/0897 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王华强;付曼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述用于刷新多级存储器分级结构中的存储器侧高速缓存(MSC)的所指定区域的系统和方法。例如，按照一个实施例的计算机系统包括：存储器子系统，包括非易失性系统存储器和用于缓存非易失性系统存储器的部分的易失性存储器侧高速缓存(MSC)；以及刷新引擎，用于响应与MSC的所指定区域关联的停用条件而将MSC的所指定区域刷新到非易失性系统存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 分级 结构 中的 高速缓存 动态 部分 断电 | ||
【主权项】：
一种计算机系统，包括：主存储器子系统，包括非易失性和非闪存系统存储器，以及用于缓存所述非易失性和非闪存系统存储器的部分的易失性存储器侧高速缓存（MSC），所述非易失性和非闪存系统存储器包括能够比闪存存储器更快读取和/或写入信息的非易失性和非闪存存储器；以及刷新引擎电路，用于响应于与所述MSC的指定区域关联的停用条件而将所述MSC的所述指定区域刷新到所述非易失性系统存储器，所述停用条件用于将所述MSC的所述指定区域置于不可操作低功率状态中。
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