[发明专利]单片集成的半导体开关、尤其是功率断路开关

摘要

本发明涉及一种具有再生关断行为的、单片集成的半导体开关，尤其是功率断路开关。半导体开关具有呈单片集成形式的两个场效应晶体管，例如一个p‑JFET和一个n‑JFET。两个JFET的源极以及n‑JFET的阱区短接。此外，两个JFET的栅极以及p‑JFET的漏极通过阴极短接。而p‑JFET的阱区与阳极短接。由此实现单片集成的半导体开关，该半导体开关在超过确定的阳极电压或确定的阳极电流时自动关断。阳极电压和阳极电流的极限值可以通过构件的尺寸确定。由此可以在快速响应行为时实现直到200kV的截止强度。

主权项

具有第一和第二单片集成的场效应晶体管的半导体开关，所述场效应晶体管中的一个场效应晶体管具有n掺杂的通道并且另一个场效应晶体管具有p掺杂的通道，在所述半导体开关中，‑所述第一场效应晶体管的源极或发射极与所述第二场效应晶体管的源极或发射极短接，‑所述第一场效应晶体管的漏极或集极与第一电接头电连接，并且‑所述第二场效应晶体管的漏极或集极与所述半导体开关的第二电接头电连接，其中，‑所述第二场效应晶体管的阱区与两个场效应晶体管的源极或发射极短接，‑所述第一场效应晶体管的阱区与所述第二电接头短接，和‑所述第一场效应晶体管的栅极或基极与所述第一电接头短接并且所述第二场效应晶体管的栅极或基极与所述第一电接头短接或者布置成能外部操控。