[发明专利]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201710292721.8 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106992235B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 周弘毅;蔡和勋;李耿诚;刘英策;魏振东 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：半导体堆叠结构，所述半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，所述第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，其中，所述半导体堆叠结构自所述电流扩展层至衬底方向具有开槽，且所述开槽底部裸露所述第一半导体层；位于所述开槽内、且形成于所述第一半导体层上的第一电极层；以及，形成于所述电流扩展层背离所述衬底一侧的第二电极层，其中，所述第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直所述延伸方向排列的多个第二延伸体，所述第二延伸体的一端与所述第二电极引脚相连。
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