[发明专利]有机发光装置有效
申请号: | 201710291952.7 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107342366B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 金允善;金瑟雍;申东雨;李廷涉;林珍娱;郑惠仁 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了有机发光装置,其包括提供低驱动电压和高效率的第一化合物和第二化合物。该有机发光装置包括第一电极、面向第一电极的第二电极、第一电极与第二电极之间的发光层、第一电极与发光层之间的空穴传输区以及第二电极与发光层之间的电子传输区。电子传输区包括第一化合物。空穴传输区包括第二化合物。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
【主权项】:
一种有机发光装置,包括:第一电极;面向所述第一电极的第二电极;在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层;在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区;以及在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区,其中所述电子传输区包含由选自式1A至1D中的一个表示的第一化合物,并且所述空穴传输区包含由式2表示的第二化合物:<式1A><式1B><式1C><式1D><式2>其中,在式1A至1D和2中,环A1和环A2中的每个独立地为C5‑C60碳环基团或C1‑C30杂环基团,环A11和环A12中的每个独立地为C1‑C30杂环基团,X1选自N和C‑[(L1)a1‑(R1)b1],X2选自N和C‑[(L2)a2‑(R2)b2],并且X3选自N和C‑[(L3)a3‑(R3)b3],其中选自X1至X3中的至少一个为N,X11选自N和C‑[(L11)a11‑(R11)b11],X12选自N和C‑[(L12)a12‑(R12)b12],X13选自N和C‑[(L13)a13‑(R13)b13],其中选自X11至X13中的至少一个为N,X21选自N和C‑[(L21)a21‑(R21)b21],并且X22选自N和C‑[(L22)a22‑(R22)b22],X31选自N和C‑[(L31)a31‑(R31)b31],并且X32选自N和C‑[(L32)a32‑(R32)b32],X51选自O、S、Se和Si(R51)(R52),L1至L6、L11至L24、L31至L34和L41至L43各自独立地选自取代或未取代的C3‑C10亚环烷基、取代或未取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3‑C10亚环烯基、取代或未取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6‑C60亚芳基、取代或未取代的C1‑C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳族稠合多环基团以及取代或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团,a1至a6、a11至a24、a31至a34和a41至a43中的每一个独立地为选自0至5的整数,R1至R6、R11至R24、R31至R34和R51至R54中的每一个独立地选自氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1‑C60烷基、取代或未取代的C2‑C60烯基、取代或未取代的C2‑C60炔基、取代或未取代的C1‑C60烷氧基、取代或未取代的C3‑C10环烷基、取代或未取代的C1‑C10杂环烷基、取代或未取代的C3‑C10环烯基、取代或未取代的C1‑C10杂环烯基、取代或未取代的C6‑C60芳基、取代或未取代的C6‑C60芳氧基、取代或未取代的C6‑C60芳硫基、取代或未取代的C1‑C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、‑Si(Q1)(Q2)(Q3)、‑N(Q1)(Q2)、‑B(Q1)(Q2)、‑C(=O)(Q1)、‑S(=O)2(Q1)和‑P(=O)(Q1)(Q2),R41和R42中的每一个独立地选自取代或未取代的C1‑C60烷基、取代或未取代的C2‑C60烯基、取代或未取代的C2‑C60炔基、取代或未取代的C1‑C60烷氧基、取代或未取代的C3‑C10环烷基、取代或未取代的C1‑C10杂环烷基、取代或未取代的C3‑C10环烯基、取代或未取代的C1‑C10杂环烯基、取代或未取代的C6‑C60芳基、取代或未取代的C6‑C60芳氧基、取代或未取代的C6‑C60芳硫基、取代或未取代的C1‑C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团以及取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团,b1至b6、b11至b24、b31至b34、b53和b54中的每一个独立地为选自0至5的整数,b41和b42中的每一个独立地为选自1至5的整数,c1至c4中的每一个独立地为选自0至10的整数,选自所述取代的C3‑C10亚环烷基、所述取代的C1‑C10亚杂环烷基、所述取代的C3‑C10亚环烯基、所述取代的C1‑C10亚杂环烯基、所述取代的C6‑C60亚芳基、所述取代的C1‑C60亚杂芳基、所述取代的二价非芳族稠合多环基团、所述取代的二价非芳族稠合杂多环基团,所述取代的C1‑C60烷基、所述取代的C2‑C60烯基、所述取代的C2‑C60炔基、所述取代的C1‑C60烷氧基、所述取代的C3‑C10环烷基、所述取代的C1‑C10杂环烷基、所述取代的C3‑C10环烯基、所述取代的C1‑C10杂环烯基、所述取代的C6‑C60芳基、所述取代的C6‑C60芳氧基、所述取代的C6‑C60芳硫基、所述取代的C1‑C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团中的至少一个取代基选自:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基;各自被选自以下中的至少一个取代的C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、‑Si(Q11)(Q12)(Q13)、‑N(Q11)(Q12)、‑B(Q11)(Q12)、‑C(=O)(Q11)、‑S(=O)2(Q11)和‑P(=O)(Q11)(Q12);C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基;各自被选自以下中的至少一个取代的C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团以及单价非芳族稠合杂多环基团:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、C1‑C60烷氧基、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、‑Si(Q21)(Q22)(Q23)、‑N(Q21)(Q22)、‑B(Q21)(Q22)、‑C(=O)(Q21)、‑S(=O)2(Q21)和‑P(=O)(Q21)(Q22);以及‑Si(Q31)(Q32)(Q33)、‑N(Q31)(Q32)、‑B(Q31)(Q32)、‑C(=O)(Q31)、‑S(=O)2(Q31)和‑P(=O)(Q31)(Q32),并且Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、C1‑C60烷氧基、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、被C1‑C60烷基取代的C6‑C60芳基、被C6‑C60芳基取代的C6‑C60芳基、三联苯基、C1‑C60杂芳基、被C1‑C60烷基取代的C1‑C60杂芳基、被C6‑C60芳基取代的C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团以及单价非芳族稠合杂多环基团,其中咔唑环和螺‑二芴环均未包含在式1A至1D中,并且咔唑环和芴环均未包含在式2中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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