[发明专利]一种PERC电池背面钝化膜层以及基于ALD工艺的PERC电池制备方法

摘要

本发明公开了一种PERC电池背面钝化膜层，包括PERC电池硅衬底表面向外依次先后沉积的背面氧化铝层、背面SiONx层和背面SiNx层，还公开了基于ALD工艺的PERC电池制备方法，包括如下步骤：制绒；扩散；背面抛光、刻蚀和去磷硅玻璃；背面ALD制备氧化铝；正面PECVD沉积SiNx减反射膜；背面PECVD沉积背面钝化膜层；背面激光局部开口；丝网印刷、烧结；其中，背面PECVD沉积背面钝化膜层过程中，硅片进入炉管后，炉管温度升温至400℃～600℃，先沉积SiONx膜后沉积SiNx膜。本发明的PERC电池背面钝化膜层以及电池制备方法，电池转换效率高，省去ALD制备氧化铝后的单独退火过程，减少投入成本，提升电池转换效率，且背面镀膜之后做正面镀膜时，单晶硅片表面颜色均匀，有效改善电池外观。

主权项

1.一种PERC电池背面钝化膜层，其特征在于：包括PERC电池硅衬底(1)表面向外依次先后沉积的背面氧化铝层(2)、背面SiONx层(3)和背面SiNx层(4)；所述PERC电池背面钝化膜层的制备方法包括如下步骤：1)制绒；2)扩散；3)背面抛光、刻蚀和去磷硅玻璃；4)背面ALD制备氧化铝；5)正面PECVD沉积SiNx减反射膜；6)背面PECVD沉积背面钝化膜层；7)背面激光局部开口；8)丝网印刷、烧结；该方法中省去ALD制备氧化铝后的单独退火过程；步骤6)背面PECVD沉积背面钝化膜层过程中，硅片进入炉管后，炉管温度升温至400℃～600℃，先沉积SiONx膜后沉积SiNx膜；所述背面钝化膜层中SiONx层的沉积厚度为30～80nm，折射率为1.5～2.0。