[发明专利]一种PERC电池背面钝化膜层以及基于ALD工艺的PERC电池制备方法

权利要求书

1.一种PERC电池背面钝化膜层，其特征在于：包括PERC电池硅衬底(1)表面向外依次先后沉积的背面氧化铝层(2)、背面SiONx层(3)和背面SiNx层(4)；

所述PERC电池背面钝化膜层的制备方法包括如下步骤：

1)制绒；

2)扩散；

3)背面抛光、刻蚀和去磷硅玻璃；

4)背面ALD制备氧化铝；

5)正面PECVD沉积SiNx减反射膜；

6)背面PECVD沉积背面钝化膜层；

7)背面激光局部开口；

8)丝网印刷、烧结；

该方法中省去ALD制备氧化铝后的单独退火过程；步骤6)背面PECVD沉积背面钝化膜层过程中，硅片进入炉管后，炉管温度升温至400℃～600℃，先沉积SiONx膜后沉积SiNx膜；

所述背面钝化膜层中SiONx层的沉积厚度为30～80nm，折射率为1.5～2.0。

2.一种基于ALD工艺的PERC电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)制绒；

2)扩散；

3)背面抛光、刻蚀和去磷硅玻璃；

4)背面ALD制备氧化铝；

5)正面PECVD沉积SiNx减反射膜；

6)背面PECVD沉积背面钝化膜层；

7)背面激光局部开口；

8)丝网印刷、烧结；

基于ALD工艺的PERC电池制备方法中，省去ALD制备氧化铝后的单独退火过程；其中步骤6)背面PECVD沉积背面钝化膜层过程中，硅片进入炉管后，炉管温度升温至400℃～600℃，先沉积SiONx膜后沉积SiNx膜；

所述背面钝化膜层中SiONx层的沉积厚度为30～80nm，折射率为1.5～2.0。

3.根据权利要求2中所述PERC电池制备方法，其特征在于：背面钝化膜层中SiNx层的沉积厚度为80～250nm，折射率为1.9～2.4。

4.根据权利要求2中所述PERC电池制备方法，其特征在于：沉积背面钝化膜层过程中SiH₄、NH₃、N₂O气体同时淀积生成SiONx膜，SiH₄、NH₃淀积生成SiNx膜。