[发明专利]LED倒装芯片的制备方法有效
申请号: | 201710279425.4 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN106941127A | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 李智勇;张向飞;刘坚 | 申请(专利权)人: | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/22 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 223001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及LED芯片工艺领域,公开了一种LED倒装芯片的制备方法,包括提供透光衬底;在透光衬底上生长外延层;在各芯片单元区域上刻蚀出N电极沟槽以形成Mesa平台;在Mesa平台之上形成P‑欧姆接触层;在P‑欧姆接触层之上形成反射层;在N电极沟槽上形成N‑欧姆接触层;制作覆盖各N电极沟槽、Mesa平台、反射层以及N‑欧姆接触层的隔离层;图形化隔离层以形成P导电通道和N导电通道;制作分别覆盖各P导电通道和各N导电通道的P焊垫和N焊垫;制作chip。本发明可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光,降低驱动电压及提高光强;减少电压转换时的能量损失,缓解电流积聚,便于光学设计。 | ||
搜索关键词: | led 倒装 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】:
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