[发明专利]像素结构及其制备方法和显示装置在审
申请号: | 201710266717.4 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN107086239A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 吴海东;李娜;陈磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 罗瑞芝,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种像素结构及其制备方法和显示装置。该像素结构包括多个子像素,所述子像素为第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素在行方向上依次循环排列,每相邻两行的同一子像素在列方向上相隔排列,且相邻行的同一子像素在列方向上镜像对称设置;所述第二子像素位于相邻行的所述一子像素和所述第三子像素之间的中心线上,所述第二子像素和位于其相邻的一行中且与其相邻的一所述第三子像素和一所述第一子像素构成一个像素单元。该像素结构的显示色度均匀性更好;而且减少了高精细金属掩模板开孔数量,降低了金属掩模板的制作难度,更容易制备高分辨率OLED产品。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种像素结构,包括多个子像素,其特征在于,所述子像素为第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素在行方向上依次循环排列,每相邻两行的同一子像素在列方向上相隔排列,且相邻行的同一子像素在列方向上镜像对称设置;所述第二子像素位于相邻行的所述一子像素和所述第三子像素之间的中心线上,所述第二子像素和位于其相邻的一行中且与其相邻的一所述第三子像素和一所述第一子像素构成一个像素单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710266717.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种网络用网线保护套
- 下一篇:一种新型电缆桥架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的