[发明专利]一种碘化铋二维材料、制备及其应用有效
| 申请号： | 201710261253.8 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107093560B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 段镶锋;段曦东;李佳 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/24;H01L29/78;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及碘化铋二维材料及其电学、光电学器件的制备方法，所述的碘化铋纳米片拓展了新的二维材料，其垂直异质结及电学、光电学器件的制备为发现新的电子、光电子器件设备提供了新的可能。这一方法包括以下步骤：将盛有碘化铋粉末的瓷舟放置在单温区管式炉的恒温区，设置恒温区温度为305‑360℃，用空的和长有WSe | ||
| 搜索关键词： | 一种 碘化 二维 材料 制备 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碘化铋二维材料的制备方法，其特征在于，将碘化铋粉末在305-310℃的温度、100-225sccm的载气流量下气相沉积10-20min在基底表面，在基底表面形成碘化铋纳米片；/n所述的碘化铋纳米片的厚度为10-120nm，大小为3-10μm；具有六边形形貌。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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