[发明专利]可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件及制作方法有效
| 申请号： | 201710257382.X | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108735851B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张露;尤立星;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L29/16;G01J11/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件及制作方法，所述可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件包括：超导纳米线；石墨烯结构，所述石墨烯结构结合于所述超导纳米线的底部。本发明通过在超导纳米线单光子探测器件中集成石墨烯结构，由于石墨烯具有高热导率和超快的载流子弛豫过程，克服了以往超导材料能量弛豫能力不足的难题，加速超导纳米线单光子探测器件能量弛豫过程，从而降低了超导纳米线单光子探测器件的恢复时间。 | ||
| 搜索关键词： | 超导纳米线 单光子探测器 石墨烯 能量弛豫 恢复 载流子弛豫 超导材料 高热导率 结构结合 能力不足 制作 | ||
【主权项】：
1.一种可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，所述可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件包括：/n超导纳米线；/n石墨烯结构，所述石墨烯结构结合于所述超导纳米线的底部；/n衬底；所述石墨烯结构及所述超导纳米线依次叠置于所述衬底的表面；/n光学腔体结构，位于所述衬底的表面，且完全覆盖所述石墨烯结构及所述超导纳米线；/n反射镜，位于所述光学腔体结构的表面。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
